| 型号：MMIX1T550N055T2 | 类别：FET - 单 | 制造商：IXYS |
| 封装：* | 描述：MOSFET N-CH 55V 550A SMPD | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 550A SMPD |
| 系列 | TrenchT2™ GigaMOS™ |
| 制造商 | IXYS |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 550A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 1.3 毫欧 @ 100A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 3.8V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 595nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 40000pF @ 25V |
| 功率_最大 | 830W |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 供应商设备封装 | * |
| 包装 | * |
供应商
| 现代芯城（深圳）科技有限公司 | 董0755-82542579 |
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